Вышедшие номера
Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
Белов А.И.1, Михайлов А.Н.1, Королев Д.С.1, Сергеев В.А.1, Антонов И.Н.1, Горшков О.Н.1, Тетельбаум Д.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Для мемристивных структур Au/SiOx/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, проанализировано влияние толщины и стехиометрии пленки SiOx, а также площади верхнего золотого электрода на параметры резистивного переключения. Полученные результаты свидетельствуют в пользу филаментной модели резистивного переключения в пленках SiOx.