Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 26 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Для мемристивных структур Au/SiOx/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, проанализировано влияние толщины и стехиометрии пленки SiOx, а также площади верхнего золотого электрода на параметры резистивного переключения. Полученные результаты свидетельствуют в пользу филаментной модели резистивного переключения в пленках SiOx.
- Chua L. // IEEE Trans. Circuit Theory. 1971. V. 18. P. 507
- Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S. // Nature. 2008. V. 453. P. 80
- Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V. et al. // Mat. Sci. Eng. B. 2015. V. 194. P. 48
- Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. В. 3. С. 12
- Liu C.-Y., Shih Y.-R., Huang S.-J. // Sol. State Commun. 2013. V. 159. P. 13
- Xia G., Ma Z., Jiang X. et al. // J. Non-Cryst . Sol. 2012. V. 358. P. 2348
- Mehonic A., Cueff S., Wojdak M. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. P. 074 507
- Wang Y., Qian X., Chen K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 042 103
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
