Вышедшие номера
Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi
Филатов Д.О.1, Казанцева И.А.1, Шенгуров В.Г.1, Чалков В.Ю.1, Денисов С.А.1, Алябина Н.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Экспериментально обнаружена генерация телеграфного шума в туннельных p+-n+-переходах на базе Si со встроенными в них самоформирующимися наноостровками GeSi. Эффект связывается с блокированием туннелирования электронов через индивидуальные наноостровки GeSi вследствие генерации и термической эмиссии дырок в/из наноостровков.