Вышедшие номера
О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в p-4H-SiC
Лебедев А.А.1, Бер Б.Я.1, Богданова Е.В.1, Середова Н.В.1, Казанцев Д.Ю.2, Козловский В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

Исследована фотолюминесценция, возникающая в p-4H-SiC после облучения электронами. Предложена модель, объясняющая зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы облучения. Сделан вывод, что активатором фотолюминесценции являются донорно-акцепторные пары азот-радиационный дефект.