Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Климко Г.В.1, Комиссарова Т.А.1, Сорокин C.В.1, Контрош Е.В.1, Лебедева Н.М.1, Усикова А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Калиновский В.С.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: gklimko@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Представлены результаты оптимизации конструкции и технологии роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур туннельных диодов (ТД) N-AlGaAs : Si/n+-GaAs : Si/p+-GaAs : Be/P-AlGaAs:Be. Достигнутый уровень пикового тока Jp=513 A/cm2 позволяет использовать полученный ТД для соединения каскадов как в структурах многопереходных солнечных элементов, так и в структурах туннельно-связанных лазерных диодов. Наблюдающаяся нелинейность начального хода ВАХ объясняется остаточным потенциальным барьером в изотипном p+-P-p+-гетеропереходе, ограничивающим активную область ТД, вследствие неоптимального легирования твердого раствора Al0.4Ga0.6As.
- Esaki L. // Phys. Rev. 1958 V. 109. N 2. P. 603
- Guter W., Schone J., Philipps S.P., Steiner M., Siefer G., Wekkeli A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94 P. 223 504 (1--3)
- Ohno T., Oyama Y. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2012 V. 13. P. 013 002
- Ahmed S., Melloch M.R., Harmon E.S., McInturff D.T., Woodall J.M. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 3667
- Винокуров Д.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Симаков В.А., Сухарев А.В., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 9. С. 1253--1256
- Pan J.L., McManis J.E., Grober L., Woodall J.M. // Sol. Stat. Electron. 2004. V. 48. P. 2067--2070
- Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 8. С. 897--901
- Kohler K., Ganser P., Maier M. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 127 P. 720--723
- Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Ledentsov N.N. // J. Crystal Growth. 1991. V. 108. P. 661
- Копьев П.С., Будза А.А., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Надточий М.Ю., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 8. С. 68--71
- Лантратов В.М., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М. // ФТП. 2007. Т. 41 В. 6. С. 751--755
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
