Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 18 » Статья стр. 82
<<<>>>
Туннельные диоды GaAs:Si/GaAs:Be для многопереходных солнечных элементов, выращиваемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Климко Г.В.1, Комиссарова Т.А.1, Сорокин C.В.1, Контрош Е.В.1, Лебедева Н.М.1, Усикова А.А.1, Ильинская Н.Д.1, Калиновский В.С.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gklimko@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
PDF версия
Представлены результаты оптимизации конструкции и технологии роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур туннельных диодов (ТД) N-AlGaAs : Si/n+-GaAs : Si/p+-GaAs : Be/P-AlGaAs:Be. Достигнутый уровень пикового тока Jp=513 A/cm2 позволяет использовать полученный ТД для соединения каскадов как в структурах многопереходных солнечных элементов, так и в структурах туннельно-связанных лазерных диодов. Наблюдающаяся нелинейность начального хода ВАХ объясняется остаточным потенциальным барьером в изотипном p+-P-p+-гетеропереходе, ограничивающим активную область ТД, вследствие неоптимального легирования твердого раствора Al0.4Ga0.6As.
  1. Esaki L. // Phys. Rev. 1958 V. 109. N 2. P. 603
  2. Guter W., Schone J., Philipps S.P., Steiner M., Siefer G., Wekkeli A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94 P. 223 504 (1--3)
  3. Ohno T., Oyama Y. // Sci. Technol. Adv. Mater. 2012 V. 13. P. 013 002
  4. Ahmed S., Melloch M.R., Harmon E.S., McInturff D.T., Woodall J.M. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 3667
  5. Винокуров Д.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Симаков В.А., Сухарев А.В., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 9. С. 1253--1256
  6. Pan J.L., McManis J.E., Grober L., Woodall J.M. // Sol. Stat. Electron. 2004. V. 48. P. 2067--2070
  7. Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. // ФТП. 2002. Т. 36. В. 8. С. 897--901
  8. Kohler K., Ganser P., Maier M. // J. Cryst. Growth. 1993. V. 127 P. 720--723
  9. Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Ledentsov N.N. // J. Crystal Growth. 1991. V. 108. P. 661
  10. Копьев П.С., Будза А.А., Иванов С.В., Мельцер Б.Я., Надточий М.Ю., Устинов В.М. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 8. С. 68--71
  11. Лантратов В.М., Калюжный Н.А., Минтаиров С.А., Тимошина Н.Х., Шварц М.З., Андреев В.М. // ФТП. 2007. Т. 41 В. 6. С. 751--755

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme