Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WOx/SiC
Зуев В.В., Демин М.В., Фоминский В.Ю., Романов Р.И., Григорьев В.В., Неволин В.Н.
Поступила в редакцию: 30 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Показано, что при повышенных температурах (~ 350oC) наиболее выраженный отклик на H2 тонкопленочной структуры Pt/WOx/SiC достигается при регистрации изменения напряжения на обратной ветви вольт-амперной кривой. Сравнительные исследования токопрохождения сквозь структуру и по ее поверхности (с нанесенной пленкой Pt) позволили установить, что изменение свойств интерфейсов Pt/WOx и WOx/SiC под воздействием H2 во многом определяет эффективность отклика структуры при использовании "поперечной" геометрии измерения. Для 2%-й концентрации H2 в воздухе величина уменьшения напряжения на обратной ветви для тока ~ 10 muA достигала 5 V против 2 V на прямой ветви и при "планарной" геометрии измерений.
- Hubert T., Boon-Brett L., Black G. et al. // Sensor Actuators. B. 2011. V. 157. P. 329--352
- Kandasamy S., Trinchi A., Ghantasala M.K. et al. // Thin Solid Films. 2013. V. 542. P. 404--408
- Kandasamy S., Trinchi A., Wlodarski et al. // Sensor Actuators B. 2005. V. 111--112. P. 111--116
- Trinchi A., Kandasamy S., Wlodarski. // Sensor Actuators B. 2008. V. 133. P. 705--716
- Фоминский В.Ю., Григорьев С.Н., Романов Р.И. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 3. С. 416--424
- Wen-Chia Hsu, Chih-Chieh Chan, Chia-Hsiang Peng et al. // Thin Solid Films. 2007. V. 516. P. 407--411
- Filipescu M., Orlando S., Russo V. et al. // Appl. Surf. Sci. 2007. V. 253. P. 8258--8262
- Inouye A., Yamamoto S., Nagata S. et al. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2008. V. 266. P. 301--307
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук