Вышедшие номера
Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WOx/SiC
Зуев В.В., Демин М.В., Фоминский В.Ю., Романов Р.И., Григорьев В.В., Неволин В.Н.
Поступила в редакцию: 30 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Показано, что при повышенных температурах (~ 350oC) наиболее выраженный отклик на H2 тонкопленочной структуры Pt/WOx/SiC достигается при регистрации изменения напряжения на обратной ветви вольт-амперной кривой. Сравнительные исследования токопрохождения сквозь структуру и по ее поверхности (с нанесенной пленкой Pt) позволили установить, что изменение свойств интерфейсов Pt/WOx и WOx/SiC под воздействием H2 во многом определяет эффективность отклика структуры при использовании "поперечной" геометрии измерения. Для 2%-й концентрации H2 в воздухе величина уменьшения напряжения на обратной ветви для тока ~ 10 muA достигала 5 V против 2 V на прямой ветви и при "планарной" геометрии измерений.