"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Легирование кремния эрбием методом имплантации атомов отдачи
Феклистов К.В.1, Абрамкин Д.С.1, Ободников В.И.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: kos@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

С целью достижения сильного приповерхностного легирования кремния эрбием в работе апробирован метод имплантации атомов отдачи. В этом методе через тонкую пленку эрбия на поверхности проводилась имплантация ионами аргона с энергией 250 keV, в результате чего выбитые из пленки атомы отдачи эрбия внедрялись в кремний. Таким способом было проведено внедрение эрбия до концентрации 5·1020 cm-3 на глубину чуть более десяти нанометров. Для формирования стабильных и оптически активных комплексов ErOn дополнительно было выполнено внедрение атомов отдачи кислорода. В процессе последующей термообработки около половины дозы внедренного эрбия переходит в SiO2 на поверхности. Основная доля эрбия, оставшаяся в кремнии после термообработок, является оптически неактивной.
  1. Соболев Н.А. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 1153. [ Sobolev N.A. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1995. V. 29. P. 1153.]
  2. Polman A. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 1
  3. Kenyon A.J. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. R65
  4. Lockwood D.J. Light emission in silicon: from physics to devices. Academic Press, 1998. P. 126
  5. Eaglesham D.J., Michel J., Fitzgerald E.A., Jacobson D.C., Poate J.M., Benton J.L., Polman A., Xie Y.-H., Kimerling L.C. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. P. 2797
  6. Polman A., Custer J.S., Snoeks E., van den Hoven G.N. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 507
  7. Serna R., Lohmeier M., Zagwijn P.M., Vlieg E., Polman A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 1385
  8. www.srim.org
  9. Назыров Д.Э., Куликов Г.С., Малкович Р.Ш. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 1653. [ Nazirov D.E., Kulikov G.S., Malkovich R.S. // Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov. 1991. V. 25. P. 1653.]
  10. National Bureau of Standards, Selected Values of Chemical Thermodynamic Properties. Part 7. Tech. Notes 270-7. P. 65
  11. Choi C.J., Jang M.G., Kim Y.Y., Jun M.S., Kim T.Y., Song M.H. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91. P. 012903; Choi C.J., Jang M.G., Kim Y.Y., Jun M.S., Kim T.Y., Song M.H. // Materials Transactions. 2010. V. 51. P. 793
  12. Hamelin N., Kik P.G., Suyver J.F., Kikoin K., Polman A., Schonecker A., Saris F.W. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. P. 5381
  13. Priolo F., Franzo G., Coffa S., Carnera A. // Phys. Rev. B. 1998. V. 57. P. 4443
  14. Carnall W.T., Fields P.R., Rajnak K. // J. Chem. Phys. 1968. V. 49. P. 4424
  15. Gruber J.B., Henderson J.R., Muramoto M., Rajnak K., Conway J.G. // J. Chem. Phys. 1966. V. 45. P. 477

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.