Термодинамика отжига нанопористого кремния
Нагорнов Ю.С.1
1Тольяттинский государственный университет, Тольятти
Email: Nagornov.Yuri@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
Приведены результаты термодинамических расчетов плавления поверхностного слоя квантовых нитей нанопористого кремния и сравнения с результатами расчетов методом Монте-Карло. В предположении, что заполнение нанопор происходит за счет изменения поверхностной энергии пор, принятые приближения позволили объяснить формирование полостей в зависимости от глубины и ширины поры.
- Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. // Surface Science Reports. 2000. V. 38. P. 1--126
- Болотов В.В., Росликов В.Е., Курдюкова Е.А. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. В. 1. С. 109--112. ( Bolotiov V.V., Roslikov V.E., Kurdyukova E.A. et al. // Semiconductors. V. 46. N 1. P. 105--108.)
- Жаров Ю.А., Федулова Г.В., Астрова Е.В. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. В. 8. С. 1136--1143. ( Zharova Yu., Fedulova G.V., Astrova E.V. et al. // Semiconductors. V. 45. N 8. P. 1103--1110.)
- Гречников А.А., Алимпиев С.С., Никифоров С.М., Симановский Я.О. / Патент N 2426191 C1 от 26.05.2010 г. [ Grechnikov A.A., Alimpiev S.S., Nikiforov S.M., Simanovskiy Ya.O. / Patent N 2426191 C1 data 26.05.2010 г (in Russia).]
- Костишко Б.М., Золотов А.В., Нагорнов Ю.С. // ФТП. 2009. Т. 43. В. 3. С. 372--375. ( Kostishko В.М., Zolotov A.V., Nagornov Yu.S. // Semiconductors. V. 43. N 3. P. 355--358.)
- Kostishko В.М., Zolotov A.V., Atazhanov Sh.R. // Physics of flow-dimensional structures. 2004. N 3/4. P. 1--5
- Золотов А.В. // Дис. ... канд.-физ.-мат. наук по специальности 01.04.10 --- физика полупроводников. Ульяновск: УлГУ, 2007. 139 c. ( Zolotov A.V. // Dissertation on competition of degree of Ph.D. in specialty 01.04.10 --- physics of semiconductors. Ulyanovsk: Ulyanovsk State University, 2007. 139 p.)
- Громов Д.Г., Гаврилов С.А. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 10. С. 2012--2021. ( Gromov D.G., Gavrilov S.A. // Phys. Solid State. V. 51. N 10. P. 2135--2144.)
- Гафнер Ю.А., Гафнер С.Л., Зимулин И.С. и др. // ФТТ. 2013. Т. 55. В. 10. С. 2026--2032. ( Gafner Yu.Ya., Gafner S.L., Zamulin I.S. et al. // Phys. Solid State. V. 55. N 10. P. 2142--2149.)
- Jaccodine R.J. // J. Electrochem. Soc. 1963. V. 110(6). P. 524--527
- Жвавый С.П. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 8. С. 58--62. ( Zhvavyi S.P. // Technical Physics. V. 45. N 8. P. 1014--1018.)
- Регель А.П., Глазов В.М. Физические свойства электронных расплавов: Справочник. М.: Наука, 1980. 296 с
- Fujii H., Matsumoto T., Izutani Sh. et al. // Acta Materialia. 2006. V. 54. P. 1221--1225
- Yang C.C., Li G., Jiang Q. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 4961--4965
- Ott N., Nerding M. // J. Appl. Phys. 2004. V. 95. N 2. P. 497--503.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук