Экспериментально установлено и обосновано с использованием кластерной модели структуры аморфного углерода влияние режима осаждения алмазографитовых пленочных структур в неравновесной СВЧ-плазме паров этанола низкого давления на их автоэмиссионные характеристики. Показано, что выбором режима осаждения, обеспечивающего снижение содержания связанного водорода в углеродных структурах, возможно уменьшение порога электрического поля автоэлектронной эмиссии в 4-6 раз по сравнению с пленками a-C : H, полученными другими способами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.