"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние режима осаждения в СВЧ-плазме на полевую эмиссию электронов из наноалмазографитовых композитов
Бушуев Н.А.1, Шалаев П.Д.1, Яфаров А.Р.1, Яфаров Р.К.2
1Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз", Саратов, Россия
2Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Экспериментально установлено и обосновано с использованием кластерной модели структуры аморфного углерода влияние режима осаждения алмазографитовых пленочных структур в неравновесной СВЧ-плазме паров этанола низкого давления на их автоэмиссионные характеристики. Показано, что выбором режима осаждения, обеспечивающего снижение содержания связанного водорода в углеродных структурах, возможно уменьшение порога электрического поля автоэлектронной эмиссии в 4-6 раз по сравнению с пленками a-C : H, полученными другими способами.
  1. Яфаров Р.К. // ЖТФ. 2006. Т. 76. В. 1. С. 42--48
  2. Яфаров Р.К. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. М.: Физматлит, 2009. 216 с
  3. Технология тонких пленок / Пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. М.: Сов. радио, 1977. 764 c
  4. Коншина Е.А. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 4. С. 469--475
  5. Davidovich M.V., Bushuev N.A., Yafarov R.K. // 2014 Tenth International Vacuum Electron Sources Conference (IVESC). Proceedings of IVES--ICEE-2014. Saint-Petersburg, Russia, June 30--July 04, 2014. P. 69

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.