Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2015, выпуск 10 » Статья стр. 29
<<<>>>
Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga-HCl-NH3-H2-Ar
Жиляев Ю.В.1, Зеленин В.В.1, Орлова Т.А.1, Пантелеев В.Н.1, Полетаев Н.K1, Родин С.Н.1, Сныткина С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
PDF версия
Объектом исследования являются эпитаксиальные слои нитрида галлия, входящие в состав темплейта, выращиваемые из газовой фазы методом хлоридно-гидридной эпитаксии с использованием поверхностно-активных веществ. В качестве поверхностно-активных веществ использовались 5 mass % добавки сурьмы и индия к источнику галлия. Сравнительный анализ полученных результатов показал положительное влияние поверхностно-активных веществ на морфологию эпитаксиальных слоев.
  1. Базаров И.П. Термодинамика. М.: Физматгиз, 1961
  2. Copel M., Reuter M.C., Kaxiras E. et al. // Phys. Rev. Lett. 1989. V. 63. N 6
  3. Kern R., Miller P. // J. Cryst. Growth. 1995. V. 46. P. 193--197
  4. Семенченко В.К. Поверхностные явления в металлах и сплавах. М.: Госиздат, 1957
  5. Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. // ФТП. 2001. T. 35. В. 10. С. 1173
  6. Zhang L., Tang H.F. et al. // J. Crystal Growth. 2002. V. 242. P. 302--308
  7. Foxon C.T., Novikov S.V., Li T. et al. // Phys. Stat. Sol. 2002. V. 192. P. 441--445
  8. Zhang L., Tang H.F., Kuech T.F. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 19
  9. Jin Eun Ok, Dong Wan Jo et al. // J. Kor. Phys. Soc. 2011. V. 58. N 5. P. 1146--1150
  10. Gokhale A.A., Kuech T.F., Mavrikakis M. // J. Crystal Growth. 2005. V. 285. P. 146
  11. Kruse C., Einfeldt S., Bottcher T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. N 21
  12. Neugebauer J., Zywietz T.K., Scheffler Matthias // Phys. Rev. Lett. 2003. V. 9. N 5
  13. LeGoues F.K., Kesan V.P., Iyer S.S., Tersoff J., Tromp R. // Phys. Rev. Lett. 1990. V. 64. P. 2038
  14. Tersoff J // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 74. P. 5080

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme