МОС-гидридная эпитаксия III-N светодиодных гетероструктур с малой длительностью технологического процесса
Лундин В.В., Давыдов Д.В., Заварин E.E., Попов М.Г., Сахаров А.В., Яковлев Е.В., Базаревский Д.С., Талалаев Р.А., Цацульников А.Ф., Мизеров М.Н., Устинов В.М.
Поступила в редакцию: 12 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Представлены результаты по оптимизации технологии МОС-гидридной эпитаксии III-N светодиодных гетероструктур в установке Dragon-125 с целью ускорения технологического цикла. За счет достижения высокой скорости роста слоев GaN и оптимизации начальной фазы роста GaN полная длительность эпитаксиального процесса уменьшена с 4 h 45 min до 2 h 44 min. Выращенные по разработанной технологии светодиодные структуры не уступают по качеству выращенным по стандартной технологии на коммерчески доступной установке AIX2000HT.
- Koh Matsumoto. Prospect of GaN MOCVD: Challenge and Strategy for Various Substrate Materials / Presented at LED Forum. November 1-2, 2012, Taipei, Taiwan. (http://seminar.ledinside.com/Ledforum/current/US/sharing\_ppt/1-9Taiyo.pdf)
- Dauelsberg M., Brien D., Pusche R., Schon O., Yakovlev E.V., Segal A.S., Talalaev R.A. // J. Crystal Growth. 2011. V. 315. P. 224
- Gurary A., Mitrovic B., Armour E., Pophristic M., Paranjpe A. // Abstracts of the 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides. July 16-19, 2012, St. Petersburg, Russia, P. 96
- Matsumoto K., Tokunaga H., Ubukata A., K. Ikenaga K., Fukuda Y., Tabuchi T., Kitamura Y., Koseki Sh., A. Yamaguchi A., Uematsu K. // J. Crystal Growth. 2008. V. 310. P. 3950
- Lundin W.V., Sakharov A.V., Tsatsulnikov А.Ф., Ustinov М.М. // Semicond. Sci. Technol. 2011. V. 26 (1). P. 014 039
- Lundin W.V., Davydov D.V., Zavarin E.E., Nikolaev A.E., Sinitsyn М.А., Popov M.G., Sakharov A.V., Tsatsulnikov A.F., Mizerov M.N., Ustinov V.M., Yakovlev E.V., Bazarevskiy D.S., Lobanova A.V., Talalaev R.A. // Proc. EWMOVPE. 2013. June 2--5, 2013. Aachen, Germany. P. 255
- Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Синицын М.А., Николаев А.Е., Михайловский Г.А., Брунков П.Н., Гончаров В.В., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2009. Т. 43 (7). С. 996
- Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Усов С.О., Заварин Е.Е., Брунков П.Н., Яговкина М.А., Черкашин Н.А., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2014. Т. 48 (1). С. 55
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук