Вышедшие номера
Анализ концентрации дрейфующих электронов в ионном диоде с магнитной самоизоляцией
Пушкарев А.И.1, Пак В.Г.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: aipush@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Представлены результаты анализа концентрации дрейфующих электронов в ионном диоде с магнитной самоизоляцией. Исследования выполнены на ускорителе ТЕМП-4М в режиме формирования сдвоенных разнополярных импульсов - первый отрицательный (300-600 ns, 150-200 kV) и второй положительный (120 ns, 250-300 kV). Показано, что концентрация электронов в области дрейфа составляет 1013-1014 cm-3. Получено, что сила Лоренца, действующая на электроны в скрещенном электрическом и магнитном полях, в 150-200 раз больше силы их кулоновского расталкивания. Это обеспечивает их большую концентрацию в области дрейфа, превышающую концентрацию в области пространственного заряда.