Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры
Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Лапин В.Г, Щербаков С.В., Журавлев К.С., Торопов А.И., Капралова А.А.
Поступила в редакцию: 4 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
Представлены первые результаты разработки мощных гетероструктурных полевых транзисторов, работающих при нулевом смещении на затворе. Транзисторы при длине Г-образного затвора около 0.3 mum с шириной 0.8 mm на частоте 10 GHz в импульсном режиме при напряжениях на затворе в диапазоне от +0.2 до -0.2 V демонстрируют удельную мощность более 1.6 W/mm при коэффициенте усиления более 11 dB и КПД по добавленной мощности более 40%.
- Kushner L.J. // Microwave Journal. 1990. V. 87. P 87--102
- Климова А.В., Лукашин В.М., Пашковский А.Б. // ФТП. 2009. Т. 43. B. 1. C. 113--118
- Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Соколов А.Б. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. В. 17. С. 84--89
- Лукашин В.М., Пашковский А.Б., Журавлев К.С., Торопов А.И., Лапин В.Г., Голант Е.И., Капралова А.А. // ФТП. 2014. Т. 48. В. 5. С. 684--692
- Кувшинова Н.А., Лапин В.Г., Лукашин В.М., Петров К.И. // Радиотехника. 2011. В. 11. С. 90
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук