Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2014, выпуск 23 » Статья стр. 67
<<<>>>
Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния
Грехов И.В.1, Костина Л.С.1, Ломасов В.Н.2, Юсупова Ш.А.1, Белякова Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: konst@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования процесса образования мелких водородсодержащих доноров (Hydrogen-related Shallow Thermal Donors, STD(H)) в кремнии под действием протонного облучения с последующим отжигом в интервале температур 300-500oC. Исследовано влияние режимов постимплантационного отжига на распределение концентрации мелких доноров при разных величинах энергии и дозы облучения протонами. Показано, что форма концентрационных профилей меняется существенным образом с изменением температуры и времени отжига при заданной концентрации вводимых радиационных дефектов (дозе облучения), равно как с изменением энергии и дозы при заданной температуре отжига. Показано также, что процесс образования водородсодержащих мелких доноров сопровождается образованием в кремнии n-типа индуцированных (H-induced) скрытых n'-слоев, формирование которых вблизи pn-перехода в высокоомной n-базе диодных структур позволяет контролируемо управлять напряжением пробоя высоковольтных pn-переходов. Это, в общем случае, создает возможность улучшать характеристики кремниевых силовых приборов различного назначения.
  1. Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов. СПб.: Наука, 2003. 268 с
  2. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., De Doncker R. Semiconductor Power Devices. Physics, Characteristics, Reliability. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2011. 536 p
  3. Laven J.G., Schulze H.-J., Niedernostheide E.-J. et al. // Phys. Status Solidi. C. 2011. V. 8. N 3. P. 697--700
  4. Мукашев Б.Н., Абдулин Х.А., Горелкинский Ю.В. // УФН. 2000. Т. 170. N 2. С. 143--155
  5. Neustoev E.P., Antonova I.V., Popov V.P. et al. // Physica. B. 1999. V. 270. N 1--2. P. 1--5
  6. Tokmoldin S.Z., Issova A.T., Abdulin K.A., Mukashev B.N. // Physica. B. 2006. V. 376--377. P. 185--188
  7. Покотило Ю.М., Петух А.Н., Литвинов В.В. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. В. 22. С. 70--74
  8. Hartung J., Weber J. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48(19). P. 14161--14166
  9. Markevich V.R., Mchelidze T., Suezava M., Murin L.I. // Phys Status Solidi. B. 1998. V. 210(2). P. 545--549
  10. Siemieniec R., Niedernostheide E.-J., Shulze H-J. et al. // Journal of Electrochem. Soc. 2006. V. 153(2). P. G108--G118
  11. Kauppinen H., Corbel C., Skog K., Saarinen K. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. N 15. P. 9598--9608
  12. Губарев В., Семенов А., Столбунов В., Сурма А. // Силовая электроника. 2011. Т. 5. N 33. С. 108--111
  13. Surma А.М. et al. // PCIM Europe 2012, 8--10 May 2012, Nuremberg, Germany, 2012. P. 853--860
  14. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. М.: Металлургия, 1969. 336 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme