"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Низковольтная автоэлектронная эмиссия из углеродных пленок, полученных методом магнетронного распыления
Архипов А.В.1, Габдуллин П.Г.1, Гнучев Н.М.1, Емельянов А.Ю.1, Крель С.И.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: arkhipov@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Проведено исследование эмиссионных свойств углеродных пленок, наносимых на кремниевые подложки методом магнетронного распыления. Структура пленок варьировалась изменением температуры подложки. Установлено, что наилучшие эмиссионные свойства достигаются для покрытия, состоящего из графитизированных островков с поперечными размерами 30-40 nm и толщиной 3-4 nm. Этот результат хорошо согласуется с данными, полученными ранее для пленок, сформированных методом химического осаждения из газовой фазы. Это позволяет утверждать, что именно структура углеродного покрытия определяет его эмиссионные свойства. Обсуждается модель эмиссионного механизма для пленок исследуемого типа.
  1. Karabutov A.V., Frolov V.D., Konov V.I. et al. //. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. P. 965
  2. Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Gusel'nikov A.V., Kuznetsov V.L., Butenko Yu.V. // Carbon. 2004. V. 42. P. 1099
  3. Shpilman Z., Michaelson Sh., Kalish R., Hoffman A. // Diam. Relat. Mater. 2006. V. 15. P. 846
  4. Uppireddi K., Weiner B.R., Morell G. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. V. 28. P. 1202
  5. Nose K., Fujita R., Kamiko M., Mitsuda Y. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2012. V. 30. P. 011204
  6. Arkhipov A.V., Gabdullin P.G., Krel S.I. et al. // Fuller. Nanotub. Car. N. 2012. V. 20. N 4--7. P. 468
  7. Dimitriadis C.A., Hastas N.A., Vouroutzis N., Logothetidis S., Panayiotatos Y. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 7954
  8. Tay B.K., Sheeja D., Lau S.P. et al. // Surf. Coat. Tech. 2000. V. 130. P. 248
  9. Chhowalla M., Ferrari A.C., Robertson J., Amaratunga G.A.J. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 1419
  10. Chen X., Sullivan J. P., Friedmann T. A., Gibson J.M. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 2823
  11. Naramoto H., Zhu X., Xu Y. et al. // ФТТ. 2002. T. 44. C. 643
  12. Huang P.-C., Shih W.-C., Chen H.-C., Lin I-N. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 084 309
  13. Carey J.D., Silva S.R.P. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 235 417
  14. Panwar O.S., Khan M.A., Satyanarayana B.S. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. V. 28. P. 411
  15. Елецкий А.В. // УФН. 2010. Т. 180. В. 9. С. 897
  16. Malesevic A., Kemps R., Vanhulsel A. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 084 301
  17. Liu J., Zeng B., Wang X., Zhu J., Fan Y. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 153 104
  18. Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Волков А.П. // ЖТФ. 2001. Т. 71. B. 11. С. 89
  19. Pandey A., Guyot-Sionnest P. // Science. 2008. V. 322. P. 929
  20. Tisdale W.A., Williams K.J., Timp B.A. et al. // Science. 2010. V. 328. P. 1543
  21. Benisty H. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 13 281
  22. Inoshita T., Sakaki H. // Physica. B. 1996. V. 227. P. 373
  23. Mukai K., Sugawara M. // Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots. San Diego: Academic Press, 1999. V. 60. P. 209
  24. Kokkorakis G.C., Xanthakis J.P. // Surf. Interface Anal. 2007. V. 39. P. 135
  25. Arkhipov A.V., Gabdullin P.G., Mishin M.V. // Fuller. Nanotub. Car. N. 2011. V. 19. P. 86

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.