Низковольтная автоэлектронная эмиссия из углеродных пленок, полученных методом магнетронного распыления
Архипов А.В.1, Габдуллин П.Г.1, Гнучев Н.М.1, Емельянов А.Ю.1, Крель С.И.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Email: arkhipov@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
Проведено исследование эмиссионных свойств углеродных пленок, наносимых на кремниевые подложки методом магнетронного распыления. Структура пленок варьировалась изменением температуры подложки. Установлено, что наилучшие эмиссионные свойства достигаются для покрытия, состоящего из графитизированных островков с поперечными размерами 30-40 nm и толщиной 3-4 nm. Этот результат хорошо согласуется с данными, полученными ранее для пленок, сформированных методом химического осаждения из газовой фазы. Это позволяет утверждать, что именно структура углеродного покрытия определяет его эмиссионные свойства. Обсуждается модель эмиссионного механизма для пленок исследуемого типа.
- Karabutov A.V., Frolov V.D., Konov V.I. et al. //. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. P. 965
- Okotrub A.V., Bulusheva L.G., Gusel'nikov A.V., Kuznetsov V.L., Butenko Yu.V. // Carbon. 2004. V. 42. P. 1099
- Shpilman Z., Michaelson Sh., Kalish R., Hoffman A. // Diam. Relat. Mater. 2006. V. 15. P. 846
- Uppireddi K., Weiner B.R., Morell G. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. V. 28. P. 1202
- Nose K., Fujita R., Kamiko M., Mitsuda Y. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2012. V. 30. P. 011204
- Arkhipov A.V., Gabdullin P.G., Krel S.I. et al. // Fuller. Nanotub. Car. N. 2012. V. 20. N 4--7. P. 468
- Dimitriadis C.A., Hastas N.A., Vouroutzis N., Logothetidis S., Panayiotatos Y. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 7954
- Tay B.K., Sheeja D., Lau S.P. et al. // Surf. Coat. Tech. 2000. V. 130. P. 248
- Chhowalla M., Ferrari A.C., Robertson J., Amaratunga G.A.J. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 1419
- Chen X., Sullivan J. P., Friedmann T. A., Gibson J.M. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. P. 2823
- Naramoto H., Zhu X., Xu Y. et al. // ФТТ. 2002. T. 44. C. 643
- Huang P.-C., Shih W.-C., Chen H.-C., Lin I-N. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. P. 084 309
- Carey J.D., Silva S.R.P. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 235 417
- Panwar O.S., Khan M.A., Satyanarayana B.S. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2010. V. 28. P. 411
- Елецкий А.В. // УФН. 2010. Т. 180. В. 9. С. 897
- Malesevic A., Kemps R., Vanhulsel A. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 104. P. 084 301
- Liu J., Zeng B., Wang X., Zhu J., Fan Y. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. P. 153 104
- Образцов А.Н., Павловский И.Ю., Волков А.П. // ЖТФ. 2001. Т. 71. B. 11. С. 89
- Pandey A., Guyot-Sionnest P. // Science. 2008. V. 322. P. 929
- Tisdale W.A., Williams K.J., Timp B.A. et al. // Science. 2010. V. 328. P. 1543
- Benisty H. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 13 281
- Inoshita T., Sakaki H. // Physica. B. 1996. V. 227. P. 373
- Mukai K., Sugawara M. // Self-Assembled InGaAs/GaAs Quantum Dots. San Diego: Academic Press, 1999. V. 60. P. 209
- Kokkorakis G.C., Xanthakis J.P. // Surf. Interface Anal. 2007. V. 39. P. 135
- Arkhipov A.V., Gabdullin P.G., Mishin M.V. // Fuller. Nanotub. Car. N. 2011. V. 19. P. 86
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
