Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник
Тихов С.В.1, Горшков О.Н.2, Антонов И.Н.2, Касаткин А.П.1, Коряжкина М.Н.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
2Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ, Нижний Новгород
Email: mahavenok@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
На примере структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе GaAs со стабилизированным (оксидом иттрия) диоксидом циркония, проявляющих эффект резистивной памяти, показана возможность контроля происходящих при формовке явлений как в диэлектрике, так и на границе раздела диэлектрик-полупроводник и в полупроводнике путем измерения отклика полупроводника.
- Waser R., Aono M. // Nature Mater. 2007. V. 6. P. 833--840
- Mehonic A., Cueff S., Wojdak M. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111 (074 507). P. 1--9
- Guan W., Long S., Jia R., Liua M. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 91 (062 111). P. 1--3
- Wilk D., Wallace R.M., Anthony J.M. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5243--5275
- Kundu Souvik, Halder N. Nripendra, Biswas D. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 112 (034 514). P. 1--7
- Тихов C.B., Горшков О.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39 B. 23. С. 72--79
- Горшков О.Н., Антонов И.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. B. 3. С. 12--19
- Эпштейн С.Л. Измерение характеристик конденсаторов. М.; Л.: Энергия, 1965. 235 с
- Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высш. школа, 1977. 448 с
- Карпович И.А., Филатов Д.О. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетеронаноструктур. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 2010. 98 с
- Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука (Сиб. отд-ние), 1984. 252 с
- Захаров А.К., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. // Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник / Под ред. А.В. Ржанова. М.: Наука, 1976. C. 47--97
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
