Исследована возможность регулирования важных структурно-фазовых характеристик пленок WSe_x, относящихся к классу слоистых материалов и перспективных к применению в современных устройствах нано- и оптоэлектроники. Применение термообработки и ионного облучения в процессе импульсного лазерного осаждения в тени противокапельного экрана позволило варьировать соотношение Se/W от 5 до 1.5, изменять характер атомной упаковки, а также получать пленки как с достаточно гладкой поверхностью, так и с различным профилем поверхности. Увеличение высоты неровностей параболической формы до 200-500 nm позволило понизить коэффициент отражения света в широком диапазоне длин волн от 30% (характерная величина для пленок с гладкой поверхностью) до 6%, что может способствовать существенному повышению эффективности солнечных элементов на полупроводниковых пленках такого типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.