Релаксация упругих напряжений в буферных слоях на основе пористых напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs
Орлов Л.К.1, Ивина Н.Л.1, Дроздов Ю.Н.1, Алябина Н.А.1
1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 10 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Обсуждаются возможные преимущества использования в качестве буферных слоев пористых релаксированных сверхрешеток InGaAs/GaAs. Рентгенодифракционный анализ и спектры фотолюминесценции от многослойных гетероэпитаксиальных структур InGaAs/GaAs, подвергнутых электрохимическому травлению, указывают на прохождение в слоях системы частичной релаксации упругих напряжений. Это дает возможность при использовании пористых сверхрешеток в качестве буферных слоев получать по отношению к буферным слоям как на основе пористого арсенида галлия, так и на основе монокристаллических периодических гетерокомпозиций, хоть и небольшой, но положительный эффект, связанный с понижением накапливаемой системой в процессе роста упругой энергии.
- Mil'vidskii M.G., Vdovin V.I., Orlov L.K., Kuznetsov O.A., Vorotynsev V.M. Growth of Crystals. New York--London, Consultants Bureau, 1996. V. 20. P. 13
- Орлов Л.К., Толомасов В.А., Потапов А.В., Вдовин В.И. // Изв. вузов. Сер. Материалы электронной техники. 1998. N 2. С. 30
- Yugova T.G., Vdovin V.I., Milvidskii M.G., Orlov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V., Abrosimov N.V. // Thin Solid Films. 1999. V. 336. N 1, 2. P. 112
- Fitzgerald E.A., Samavedam S.B. // Thin Solid Films. 1997. V. 294. N 1, 2. P. 3
- Sorokin S.V., Ivanov S.V., Mosina G.N., Sorokin L.M., Musikhin Yu.G., Kop'ev P.S. // Inst. Phys. Conf. Ser. (IOP Publishing Ltd, 1997). N 155. Chapter 3. P. 219
- Yakovtseva V., Vorozov N., Dolgyi L., Levchenko V., Postnova L., Balucani M., Bondarenko V., Ladnedica G., Ferrara V., Ferrari A. // Phys. sol. state (a). 2000. V. 182. P. 195
- Бузынин Ю.Н., Гусев С.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Мурель А.М., Ревин Д.Г., Шашкин В.Н., Шулешова И.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996. N 5. С. 40
- Орлов Л.К., Ивина Н.Л. // Письма в ЖЭТФ. 2002. Т. 75. С. 584
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. С. 318
- Орлов Л.К., Ивина Н.Л., Рубцова Р.А., Романов Ю.А. // ФТТ. 2000. Т. 42. N 3. С. 537
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук