Электролюминесценция структур Si--SiO2--Si3N4
Барабан А.П.1, Егоров Д.В.1, Аскинази А.Ю.1, Милоглядова Л.В.1
1С.-Петербургский государственный университет, НИИ физики
Поступила в редакцию: 21 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Методом электролюминесценции (ЭЛ) в системе электролит-диэлектрик-полупроводник исследованы структуры Si-SiO2-Si3N4, полученные нанесением слоя нитрида кремния различной толщины на предварительно термически окисленный в сухом кислороде кремний. Спектры ЭЛ таких структур содержат полосы излучения, типичные для окисного слоя, и интенсивную полосу излучения 2.7 eV, характерную для излучательной релаксации возбужденных силиленовых центров. Наличие этих центров присуще слоям оксинитрида кремния, что позволило сделать заключение о формировании такого слоя на границе двух диэлектриков в процессе синтеза структур.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Skuja L.N., Strelttsky A.N., Pakovich A.B. // Solid State Commun. 1984. V. 50. N 12. P. 1069--1072
- Di Maria D.Y., Abernathey Y.R. // J. Appl. Phys. V. 60. N 5. P. 1727--1729
- Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Новосибирск: Наука, 1993. 280 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук