Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2002, выпуск 22 » Статья стр. 82
<<<>>>
Фотолюминесценция с длиной волны 1.55 mum при температуре 300 K из структур с квантовыми точками InAs/InGaAsN на подложках GaAs
Одноблюдов В.А.1, Егоров А.Ю.1, Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Мамутин В.В.1, Цацульников А.Ф.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.
PDF версия
Впервые продемонстрирована фотолюминесценция на длине волны 1.55 mum при комнатной температуре из квантовых точек (КТ) InAs/InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) на подложках GaAs. Проведены исследования влияния встраивания азота в KT InAs/InGaAsN на длину волны и интенсивность сигнала фотолюминесценции КТ. Интегральная интенсивность фотолюминесценции (ИИФЛ) в КТ InAs/(In)GaAsN на длине волны 1.55 mum сравнима с ИИФЛ в квантовых ямах InGaAsN, излучающих на длине волны 1.3 mum.
  1. Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. R41
  2. Egorov A.Yu. et al. // Journal of Crystal Growth. 2001. V. 227, 228. P. 545--552
  3. Maleev N.A. et al. // Semiconductors. 2001. V. 35(7). P. 847--853
  4. Lott J.A. et al. // Electr. Lett. 2000. V. 36 (5). P. 1384
  5. Жуков А.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27 (17). С. 51--56
  6. Тонких А.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28 (10). С. 72--77
  7. Sopanen M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. P. 994--996
  8. Egorov A.Yu. et al. // International Simposium QD 2000. Munich, August 2000
  9. Fisher M., Reinhardt M., Forhel A. // Electronics Letters. 2000. V. 36 (14). P. 1208--1209
  10. Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum dot heterostructures. John Wiley \& Sons Ltd. Baffins Lane, Chichester, West Sussex PO 19 1UD, England, 1999

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme