Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2002, выпуск 18 » Статья стр. 89
<<<
Электрические характеристики гетеропереходов (p) 3C--SiC--(n) 6H--SiC
Лебедев А.А.1, Стрельчук А.М.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Кузнецов А.Н.1, Сорокин Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
PDF версия
Проведено исследование характеристик гетероструктуры системы (p) 3C-SiC /(n) 6H-SiC, выращенной методом сублимационной эпитаксии. Определены разрывы зон и построена энергетическая диаграмма гетероперехода. Показано, что данная гетероструктура является перспективной для получения на ее основе транзисторов с двухмерным электронным газом (HEMT).
  1. Lebedev A.A., Strel'chuk A.M., Davydov D.V., Savkina N.S., Tregubova A.S., Kuznetsov A.N., Solov'ev V.A., Poletaev N.K. // Applied surface Science. 2001. V. 183. P. 421
  2. Лебедев А.А., Мосина Г.Н., Никитина И.П., Савкина Н.С., Сорокин Л.М., Трегубова А.С. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. С. 57
  3. Алтайский Ю.М., Авраменко С.Ф., Гусева О.А., Киселев В.С. // ФТП. 1987. Т. 21. С. 2072
  4. Лебедев А.А. // ФТП. 1999. Т. 33. С. 107
  5. Garret C.G.B., Brattain W.H. // Phys. Rev. B 1970. V. 19 (2). P. 376
  6. Sharma B.L., Purohit R.K. // Semiconductor heterojunctions. Pergamon Press, 1974
  7. Bozack M.J. // Phys. stat. sol. (b). 1997. V. 202. P. 549
  8. Bechstedt F., Kackell P., Zywiets A., Karch K., Adolphet B., Tenelsen K., Furthmuller J. // Phys. stat. sol. (b). 1997. V. 202. P. 35

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme