"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные и электрические характеристики эпитаксиальных InP слоев на пористых подложках и параметры Au--Ti барьеров Шоттки к ним
Арсентьев И.Н., Байдакова М.В., Бобыль А.В., Вавилова Л.С., Конников С.Г., Улин В.П., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Войциховский Д.И.
Email: konakova@eee.semicond.kiev.ua
Поступила в редакцию: 14 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

На InP (100) пористых и монолитных (контрольных) подложках методом жидкофазной эпитаксии выращивались три InP эпитаксиальных слоя: буферный n++, активный n и контактный n+. На высокое качество активногоn-слоя на пористой подложке по сравнению с таким же на контрольной указывают: величины полуширин рентгенодифракционных рефлексов (311), концентрации дислокаций и подвижности электронов: 54'', 5· (102-103) cm-2, 4000 cm2· V-1· s-1 и 76'', 5·(104-105) cm-2, 3000-3500 cm2· V-1 ·s-1 соответственно. Изготовлены и исследованы Au--Ti диоды Шоттки с рабочей площадью мезаструктуры ~ 1.8· 10-6 cm2. Оказалось, что диоды на пористых подложках по сравнению с контрольными имели значительно меньшие величины токов утечек и большие значения пробивных напряжений: 1 nA, 27 V и 200 nA, 15 V соответственно.
  • Венгер Е.Ф., Конакова Р.В., Коротченков Г.С., Милени В.В., Руссу Э.В., Прокопенко И.В. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл--InP и металл--GaAs. Киев: ИФП НАНУ, 1999. 233 с
  • Luryi S., Suhir E. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 49. P. 140
  • Мамутин В.В., Улин В.П., Третьяков В.В., Иванов С.В., Конников С.Г., Копьев П.С. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 1. С. 3
  • Солдатенко Ф.Ю., Улин В.П., Яковенко А.А., Федорова О.М., Конников С.Г., Корольков В.И. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 21. С. 15
  • Бобыль А.В., Варенко Г.Д., Евдокимов С.А., Евстигнеев А.М., Конаков Р.В., Юсов Ю.П. Оптические методы диагностики полупроводниковых структур на основе соединений A-=SUB=-3-=/SUB=-B-=SUB=-5-=/SUB=-. Обзоры по электронной технике. М.: ЦНИИ "Электроника". 1990. Сер. 8. В. 1 (1572). 64 с
  • Fujikura H., Liu A., Hamamatsu A., Sato T., Hasegawa H. // Jap. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. P. 4616
  • Liu A., Duan C. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. P. 43
  • Bobyl A.V., Gaevskii M.E., Karmanenko S.F., Kutt R.N., Suris R.A., Khrebtov I.A., Tkachenko A.D., Morosov A.I. // J. Appl. Phys. 1997. V. 82. P. 1274
  • Bobyl A.V., Kyutt R.N., Tret'yakov V.V. // Semicond. Sci. Technol. 1998. V. 14. P. 589
  • Алфёров Ж.И., Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Гарбузов Д.З., Красовский В.В., Тикунов А.В., Чалый В.П. // ФТП. 1985. Т. 19. В. 6. С. 1115
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 400 с
  • Kao C.-W., Crowell C.R. // Sol. St. Electron. 1980. V. 23. N 8. P. 881
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.