Возникновение отрицательной дифференциальной проводимости в изотипной гетероструктуре p+-Bi2Te3-p-GaSe
Драпак С.И.1,2, Манассон В.А.1,2, Нетяга В.В.1,2, Ковалюк З.Д.1,2
1Институт проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
2Antena Development, Waveband Corporation, Torrance, Ca. USA
Email: chimsp@unicom.cv.ua
Поступила в редакцию: 23 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Представлены результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p-Bi2Te3-p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом, а при освещении структуры и при обратном смещении.
- Драпак С.И., Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д., Манассон В.А. // Физическая электроника. 1990. Т. 41. С. 92--94
- Драпак С.И., Ковалюк З.Д. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 18. С. 1--7
- Manasson V.A., Kovalyuk Z.D., Drapak S.I., Katerinchuk V.N. // Electronic Letters. 1990. V. 26. N 10. P. 664
- Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. В. 10. С. 2000--2002
- Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. // Токи двойной инжекции. М.: Радио и связь, 1978. 320 с
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1 / Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 456 с
- Tatsuyama C., Ichimura S., Iwakuro H. // Jap. J. Appl. Phys. 1982. V. 21. P. L25--L27
- Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Тишин Е.А., Чишко В.Ф. // Физическая электроника. 1997. Т. 49. С. 123--126
- Hariu T., Sasaki S., Adachi H., Shibata H. // Jap. Appl. Phys. 1977. V. 16. P. 841--842
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Новоселова А.В., Лазарев В.Б., Медведева З.С. и др. М.: Наука, 1979. 448 с
- Гольдберг Ю.А., Иванова О.В., Львова Т.В., Царенков Б.В. // ФТП. 1984. Т. 18. В. 8. С. 1472--1475
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук