Фотоэлектрические свойства планарных структур с двойным барьером Шоттки, обработанных в высоковакуумном СВЧ-разряде
Ушаков Н.М.1, Терентьев С.А.1, Яфаров Р.К.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовское отделение
Email: nmu@mail.saratov.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Экспериментально исследованы состояние поверхности арсенида галлия n-типа, подвергнутого сверхвысокочастотному вакуумно-плазменному травлению (СВЧ ВПТ) в различных газовых смесях, и влияние состояния поверхности полупроводника на фотоэлектрические характеристики структур металл-полупроводник-металл с двойным барьером Шоттки (МПМДБШ). Получены зависимости скорости травления поверхности арсенида галлия от процентного состава газовых смесей и температуры подложки. Показано, что режимы СВЧ ВПТ сильно влияют на фотоэлектрические свойства МПМДБШ структур и могут приводить как к росту, так и к спаду их фоточувствительности. Обнаружены оптимальные режимы СВЧ ВПТ, когда скорость травления, качество поверхности полупроводника и фоточувствительность МПМДБШ структур остаются высокими.
- Пат. 1800506 РФ, МКИ H01 L 31/07. Быстродействующий фотодетектор / Н.М. Ушаков, В.И. Петросян, N 4942723/25; Заявл. 29.04.91; Опубл. 07.03.93. Бюл. В. 9. С. 4
- Ушаков Н.М., Петросян В.И. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 14. С. 60--63
- Терентьев С.А., Ушаков Н.М., Солодкий А.Н., Петросян В.И. // Матер. II Всес. конф. по фотоэл. явл. в п/п. Ашхабад, 1991. С. 23--25
- Яфаров Р.К., Терентьев С.А. Способ плазменного травления арсенида галлия с собственным окисным слоем. А.с. СССР N 1807533 от 05.10.1992 г
- Игнатьев А.С., Терентьев С.А., Яфаров Р.К. // Микроэлектроника. 1993. N 4. С. 14--21
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук