Вышедшие номера
Влияние водородного травления на электрофизические свойства автоэпитаксиальных слоев карбида кремния
Зеленин В.В.1, Давыдов Д.В.1, Корогодский М.Л.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.

Приведены результаты, указывающие на корреляцию между предростовой обработкой подложки SiC в водороде и концентрацией доноров (акцепторов) выращенных автоэпитаксиальных слоев. Показано, что вышеупомянутые концентрации в слоях могут отличаться на порядок для предварительно травленых и не травленых подложек. Обсуждается физическое обоснование корреляционной связи. Отмечается важность влияния конкурирующего травления на процесс эпитаксиального роста.