Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAs1-xSbx (0=<q x=<q 0.18)
Кижаев С.С., Молчанов С.С., Зотова Н.В., Гребенщикова Е.А., Яковлев Ю.П., Hulicius E., Simicek T., Melichar K., Pangrac J.
Email: hulicius@fzu.cz
Поступила в редакцию: 28 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
На подложках P-GaSb и n-InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений выращены слои InAsSb с содержанием Sb 0=<q x=<q 0.18. При T=77 K измерены спектры фотолюминесценции выращенных слоев. На основе экспериментальных данных, полученных из исследований спектров фотолюминесценции, проведен анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора InAsSb. Проведен расчет энергетического зазора между верхним краем валентной зоны GaSb и дном зоны проводимости InAs0.82Sb0.18. Установлено, что GaSb/InAs1-xSbx - разъединенный гетеропереход II типа в области составов 0=<q x=<q 0.18.
- Mikhailova M.P., Moiseev K.D., Berezovets Y.A., Parfeniev R.V., Bazhenov N.L., Smirnov V.A., Yakovlev Yu.P. // IEE Proc.-Optoelectron. 1998. V. 145. (5). P. 268--274
- Mikhailova M.P. Titkov A.N. // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1279--1295
- Moiseev K.D., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Yakovlev Yu.P., Hulicius E., Simecek T., Oswald J., Pangrac J. // J. Appl. Phys. V. 86. (11). P. 6264--6270
- Воронина Т.И., Журтанов Б.Е., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Розов А.Е., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2001. Т. 35. (3). С. 345--351
- Adachi S. // J. Appl. Phys. 1987. V. 61. (10). P. 4869--4876
- Nandbook of Physical Quantities. Moscow, Russia, 1997
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук