Формирование вольт-яркостной характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т.1, Шляпин А.В.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
На основе исследования кинетики мгновенной яркости и тока, протекающего через слой люминофора в активном режиме, во взаимосвязи с кинетикой среднего поля в слое люминофора, полевыми, зарядовыми зависимостями мгновенной яркости, вольт-амперными характеристиками проанализирован процесс формирования вольт-яркостной характерстики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. В качестве причин появления участка насыщения на вольт-яркостной характеристике предполагаются уменьшение эффективной толщины слоя люминофора и изменение механизма рассеяния носителей заряда.
- Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. N 8. C. 48--58
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В., Юденков А.В. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. N 4. C. 12--18
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001. Т. 71. N 3. C. 72--75
- Douglas A.A., Wager J.F., Morton D.C. et al. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. N 1. P. 296--299
- Abu-Dayah A., Wager J.F., Kobayashi // J. Appl. Phys. 1993. V. 74. N 9. P. 5575--5581
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук