Вышедшие номера
Формирование вольт-яркостной характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т.1, Шляпин А.В.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

На основе исследования кинетики мгновенной яркости и тока, протекающего через слой люминофора в активном режиме, во взаимосвязи с кинетикой среднего поля в слое люминофора, полевыми, зарядовыми зависимостями мгновенной яркости, вольт-амперными характеристиками проанализирован процесс формирования вольт-яркостной характерстики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. В качестве причин появления участка насыщения на вольт-яркостной характеристике предполагаются уменьшение эффективной толщины слоя люминофора и изменение механизма рассеяния носителей заряда.