Резонансное поглощение инфракрасного излучения системой металл--тонкий слой диэлектрика--диафрагма с отверстием
Усанов Д.А.1, Горбатов С.С.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: usanovda@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
Установлено, что в системе металл-тонкий слой диэлектрика-диафрагма с отверстием наблюдается резонансное поглощение инфракрасного излучения, связанное с эффектом взаимодействия с отражающей металлической поверхностью искаженного на отверстии ближнего поля падающей волны. Данное явление может быть использовано, например, для создания перестраиваемых фильтров инфракрасного излученияя.
- Усанов Д.А., Горбатов С.С., Вениг С.Б., Орлов В.Е. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 18. С. 47--49
- Богда Г.И., Некрасов М.М. Пленочная электроника и полупроводниковые интегральные схемы. Киев: Вища школа, 1979. 208 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.