Зависимость распределения имплантированных ионов серебра по глубине от температуры облучаемого стекла
Степанов А.Л.1,2
1Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2Казанский физико-технический институт РАН
Email: anstep@dionis.kfti.knc.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Исследуются особенности ионной имплантации натриево-кальциевого силикатного стекла ионами серебра в зависимости от температуры подложки в узком интервале 20-100oC. Проведено моделирование профилей распределения имплантированных ионов по глубине с учетом термостимулированного увеличения диффузионной подвижности примеси в объеме образца. Показано, что повышение температуры подложки на несколько десятков градусов приводит к диффузионному "размытию" профилей распределения внедренных примесных ионов и, как следствие, к понижению их локальной концентрации, что препятствует синтезу зародышей металлического серебра. Анализ результатов моделирования указывает на необходимость строгого контроля температуры подложки при имплантации диэлектриков для достижения необходимых условий синтеза металлических наночастиц и воспроизводимости параметров композиционных материалов металл/стекло.
- Townsend P.D., Chandler P.J., Zhang L. Optical effects of ion implantation. Cambridge: Cambridge University Press, 1994
- Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б., Таунсенд П., Холе Д., Бухараев А.А. // Способ получения нелинейно-оптического материала. Патент РФ 2156490, 2000
- Arnold G.W., Borders J.A. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 1488--1496
- Skelland N.D., Townsend P.D. // Non-Cryst. Solids. 1995. V. 188. P. 243--253
- Hole D.E., Stepanov A.L., Townsend P.D. // Nucl. Instr. Meth. 1999. V. B166. P. 26--30
- Степанов А.Л., Холе Д., Попок В.Н. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. В. 13. С. 57--63
- Ziegler J.F., Biersak J.P., Littmark U. The Stopping and range of ions in solids. New York: Pergamon, 1996
- Степанов А.Л., Жихарев В.А., Хайбуллин И.Б. // ФТТ. 2001. Т. 43. N 4. C. 733--738
- Namba S., Masuda K., Gamo K,. Doi A., Ishinara S., Kimura I. // Proc. of conf. on ion implantation in semiconductors. London, 1971. P. 231--236
- Berger A. // J. Non-Cryst. Solids. 1992. V. 151. P. 88--97
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук