Исследование процесса распределения напряжения по структурам в мощном полупроводниковом прерывателе тока
Пономарев А.В.1, Рукин С.Н.1, Цыранов С.Н.1
1Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
Email: rukin@iep.uran.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
На основе физико-математической модели исследован процесс распределения напряжения по последовательным структурам полупроводникового прерывателя на стадии обрыва тока. Установлено существование механизма, благодаря которому происходит выравнивание распределения напряжения по структурам p+-p-n-n+-типа с различной глубиной залегания p-n-перехода Xp. Механизм обусловлен тем, что в структурах с большей величиной Xp образование области сильного поля на стадии обрыва тока начинается позже, но расширение этой области происходит с большей скоростью, чем в структурах с меньшей величиной Xp.
- Рукин С.Н. // ПТЭ. 1999. N 4. С. 5--36
- Тучкевич В.М., Грехов И.В. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988. 117 с
- Дарзнек С.А. и др. // ЖТФ. 2000. Т. 70. В. 4. С. 56--62
- Дарзнек С.А. и др. // Электротехника. 1999. N 4. С. 20--28
- Дарзнек С.А. и др. // ЖТФ. 1997. Т. 67. В. 10. С. 64--70
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.