"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Изменение микроморфологии поверхности эпитаксиальных слоев кремния на сапфире при облучении рентгеновским излучением "допороговых" энергий
Киселев А.Н.1, Перевощиков В.А.1, Скупов В.Д.1, Филатов Д.О.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: spm@phys.unn.runnet.ru
Поступила в редакцию: 21 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Методом атомно-силовой микроскопии обнаружено изменение микрорельефа поверхности гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире (КНС) после импульсного облучения рентгеновскими лучами с энергией E=< 140 keV.
  1. Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с
  2. Адонин А.С., Беспалов А.В., Китиченко Т.С. и др. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. N 4. С. 279--295
  3. Оболенский С.В., Скупов В.Д. // Поверхность. 2000. N 5. С. 75--79
  4. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. // УФН. 1985. Т. 147. В. 3. С. 523--558
  5. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 503--507
  6. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наук. думка, 1979. 336 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.