"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Кристаллизация слоев полупроводниковых твердых растворов Ge1-xSnx из жидкой фазы
Саидов А.С.1, Раззаков А.Ш.1, Кошчанов Э.А.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: atvi@physic.ursci.net
Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Методом жидкостной эпитаксии из ограниченного объема оловянного раствора-расплава выращены эпитаксиальные слои твердого раствора Ge1-xSnx на подложках германия в температурном интервале 740-450oC. На основании анализа результатов рентгенодифрактометрического и морфологического исследований образцов установлен оптимальный режим роста кристаллически совершенных пленок.
  1. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975. С. 328
  2. Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш., Сапаров Д.В., Рысаева В.А. // Узбекский физический журнал. 1997. N 1. С. 16--17
  3. Саидов А.С., Кошчанов Э.А., Раззаков А.Ш. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 2. С. 12--16

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.