Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электролюминесценция эрбия в структуре Al/a-Si : H(Er)/p-c-Si/Al
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Oleg.Konkov@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 20 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.
Впервые показано, что возможно получение интенсивной электролюминесценции эрбия из слоя аморфного гидрированного кремния при использовании структуры Al/a-Si : H(Er)/p-c-Si/Al в режиме прямого смещения.
- Bresler M.S., Gusev O.B., Kudoyarova V.Kh. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. N 24. P. 3599--3604
- Shin J.H., Serna R., van den Hoven G.N. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. N 7. P. 997--1002
- Гусев О.Б., Бреслер М.С., Захарченя Б.П. и др. // ФТТ. 1999. Т. 41. В. 2. С. 210--217
- Бреслер М.С., Гусев О.Б., Захарченя Б.П. и др. // ФТТ. 1996. Т. 38. В. 4. С. 1189--1193
- Matsuura H., Okuno T., Okushi H., Tanaka K. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. N 4. P. 1012--1019
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
