Неравновесные фазовые переходы и S-образные вольт-амперные характеристики в системе полупроводник--металл
Мелких А.В.1, Повзнер А.А.1, Андреева А.Г.1, Сачков И.Н.1
1Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
Поступила в редакцию: 31 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Рассмотрена модель неравновесного фазового перехода в системе полупроводник-металл с использованием метода конечных элементов. Показано, что в гетерофазной системе начиная с определенной доли металлической фазы меняется поведение S-образных вольт-амперных характеристик: при наличии гистерезиса в системе отсутствуют особые точки.
- Кроткус А., Добровольскис З. Электропроводность узкощелевых полупроводников, Вильнюс: Мокслас, 1988. 172 с
- Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 416 с
- Левинштейн М.Е., Пожела К.Ю., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с
- Сегерлинд Л. Дж. Применение метода конечных элементов. М.: Мир, 1979. 392 с
- Сачков И.Н. // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 12. С. 48--58
- Мержанов А.Г., Столин А.М. // ПМТФ. 1974. N 1. С. 65--74
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук