"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Зарядная емкость резкого p-n-перехода в варизонном полупроводнике
Соколовский Б.С.1
1Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 3 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

Произведен расчет барьерной емкости резкого p-n-перехода в варизонном полупроводнике с независимыми от координаты градиентами ширины запрещенной зоны и электронного сродства. Показано, что зависимость квадрата обратной величины барьерной емкости от напряжения имеет линейный характер, а напряжение отсечки может заметно превышать контактную разность потенциалов.
  1. Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. В. 1. С. 3--18
  2. Андреев В.М. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 9. С. 1035--1038
  3. Grimmeiss Hermann G. // 1999. Т. 33. В. 9. С. 1032--1034
  4. Именков А.Н., Лидейкис Т.П., Царенков Б.В., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 7. С. 1260--1265
  5. Стафеев В.И., Банин Е.С., Терехович Т.Ф., Миронова О.А., Пелевин О.В., Гирич Б.Г., Моховая Т.Г. // ФТП. 1978. Т. 12. В. 9. С. 1723--1727
  6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Кн. 1. 456 с
  7. Halil B., Kao K.C. // Int. J. Electron. 1972. V. 33. N 1. P. 33--47
  8. Константинов О.В., Царенков Г.В. // ФТП. 1976. Т. 10. В. 4. С. 720--728
  9. Соколовский Б.С. // УФЖ. 1994. Т. 39. В. 3--4. С. 327--330
  10. Sokolovskii B.S. // Phys. Stat. Solidi (a). 1997. V. 163. N 2. P. 425--432
  11. Пека Г.П., Коваленко В.Ф., Смоляр А.Н. Варизонные полупроводники. Киев: Выща школа, 1989. 251 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.