"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний--двуокись кремния
Барабан А.П.1, Милоглядова Л.В.1, Тер-Нерсесянц В.И.1
1НИИ физики С.-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 19 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

С помощью метода послойного профилирования, основанного на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик в системе электролит--диэлектрик--полупроводник в сочетании со стравливанием диэлектрического слоя, установлено, что имплантация ионов Ar в окисный слой структур Si--SiO2 (250 nm) приводит к образованию в объеме SiO2 положительного и ближе расположенного к поверхности Si отрицательного (начиная с дозы 1014 cm-2) зарядов. Исследовано изменение зарядового состояния данных структур под действием электрического поля. Показано, что отрицательно заряженные центры являются дырочными ловушками, перезаряжаемыми в электрическом поле до нейтрального состояния. Предполагается, что эти центры связаны с образованием атомов немостикового кислорода вследствие перестройки окисного слоя при ионной имплантации начиная с дозы 1014 cm-2.
  1. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988. 304 с
  2. Барабан А.П., Кузнецова А.А., Малявка Л.В., Шишлова А.В. // Изв. вузов. Электроника. 1998. N 4. C. 17--20
  3. Барабан А.П., Малявка Л.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 26. В. 4. С. 53--57
  4. O'Reilly E.P., Robertson J. // Phys. Rev. B. 1983. V. 27. N 6. P. 3780--3795

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.