Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2001, выпуск 3 » Статья стр. 59
<<<>>>
Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих Оже-электронов
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
PDF версия
Предложен и реализован новый метод послойного Оже-анализа, использующий различие глубины выхода Оже-электронов, эмитированных под углами вблизи нормали к поверхности и скользящих относительно поверхности. При оптимизированных условиях ионного распыления и при регистрации скользящих Оже-электронов впервые достигнуто субнанометровое разрешение по глубине, равное 0.8 nm, при исследовании высококачественных гетероструктур InxGa1-xAs / GaAs с квантовыми ямами, изготовленных методом металлоорганической газофазной эпитаксии.
  1. Hofmann S. // J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. A9. N 3. P. 1466--1476
  2. Mathieu H.J. // Topics in current physics. V. 37 / Thin film and depth profile analysis. Springer-Verlag, 1984
  3. Hofmann S., Sanz J.M. // in [2]
  4. Hofmann S. // Practical surface analysis by Auger and X-ray photoelectron spectroscopy / Ed. by D. Briggs, M.P. Seach. J. Wiley @ Sons Ltd., 1983. Chap. 4. (Пер.: Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. 598 с.)
  5. Виноградов Е.А., Карпов И.В., Кучаев С.В., Плотников А.Ф. // Заявка на изобр. N 4447564 / 25(82816) от 30.05.88 г. (положительное решение от 12.04.89 г.)
  6. Wittmaack K. // Topics in applied physics. V. 64. Sputtering by particle bombardment III / Ed. by R. Bahrisch, K. Wittmaack. Springer-Verlag, 1991
  7. Hofmann S. // Sufrace and Interface Analysis. 1994. V. 21. P. 673--678
  8. Lee H.-I., Shimizu R., Inoue M., Kajiwara K., Hofmann S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Part 1. N 4A. P. 2271--2274
  9. Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Мастеров Д.В., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 4. С. 61--66
  10. Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Салащенко Н.Н., Полушкин Н.И., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 18. С. 1--7
  11. Anthony M.T. // Suppl. 1 in [4]
  12. Lin D.Y., Huang Y.S., Tiong K.K., Pollak F.H., Evans K.R. // Semicond. Sci. Technol. 1999. V. 14. P. 103--109
  13. Lam N.Q. // Surface and Interface Analysis. 1988. V. 12. P. 65--67
  14. Kelly R. // Surface and Interface Analysis. 1985. V. 7. N 1. P. 1--7
  15. Seach M.P. // in [4]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme