Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Субнанометровое разрешение по глубине при послойном анализе с использованием скользящих Оже-электронов
Дроздов М.Н.1, Данильцев В.М.1, Дроздов Ю.Н.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 20 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Предложен и реализован новый метод послойного Оже-анализа, использующий различие глубины выхода Оже-электронов, эмитированных под углами вблизи нормали к поверхности и скользящих относительно поверхности. При оптимизированных условиях ионного распыления и при регистрации скользящих Оже-электронов впервые достигнуто субнанометровое разрешение по глубине, равное 0.8 nm, при исследовании высококачественных гетероструктур InxGa1-xAs / GaAs с квантовыми ямами, изготовленных методом металлоорганической газофазной эпитаксии.
- Hofmann S. // J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. A9. N 3. P. 1466--1476
- Mathieu H.J. // Topics in current physics. V. 37 / Thin film and depth profile analysis. Springer-Verlag, 1984
- Hofmann S., Sanz J.M. // in [2]
- Hofmann S. // Practical surface analysis by Auger and X-ray photoelectron spectroscopy / Ed. by D. Briggs, M.P. Seach. J. Wiley @ Sons Ltd., 1983. Chap. 4. (Пер.: Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса и М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. 598 с.)
- Виноградов Е.А., Карпов И.В., Кучаев С.В., Плотников А.Ф. // Заявка на изобр. N 4447564 / 25(82816) от 30.05.88 г. (положительное решение от 12.04.89 г.)
- Wittmaack K. // Topics in applied physics. V. 64. Sputtering by particle bombardment III / Ed. by R. Bahrisch, K. Wittmaack. Springer-Verlag, 1991
- Hofmann S. // Sufrace and Interface Analysis. 1994. V. 21. P. 673--678
- Lee H.-I., Shimizu R., Inoue M., Kajiwara K., Hofmann S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Part 1. N 4A. P. 2271--2274
- Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Мастеров Д.В., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 4. С. 61--66
- Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Салащенко Н.Н., Полушкин Н.И., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 18. С. 1--7
- Anthony M.T. // Suppl. 1 in [4]
- Lin D.Y., Huang Y.S., Tiong K.K., Pollak F.H., Evans K.R. // Semicond. Sci. Technol. 1999. V. 14. P. 103--109
- Lam N.Q. // Surface and Interface Analysis. 1988. V. 12. P. 65--67
- Kelly R. // Surface and Interface Analysis. 1985. V. 7. N 1. P. 1--7
- Seach M.P. // in [4]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
