"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Электрооптический компенсационный метод измерения параметров фоторефрактивных кристаллов
Ильинский А.В.1,2, Шадрин Е.Б.1,2
1Benemerita Universidad Autynoma de Puebla, Mexico
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффe PAH, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Предложен компенсационный метод измерения параметров фоторефрактивных кристаллов, основанный на продольном электрооптическом эффекте, в котором в модифицированной ячейке Поккельса используются две кристаллические пластины вместо одной. Плоскости пластин располагаются перпендикулярно оптической оси, а большие полуоси эллипсоида, наведенного электрическим полем двулучепреломления, повернуты друг относительно друга на 90o вокруг этой оси. Предложенным методом измерена зависимость времени максвелловской релаксации кристалла Bi12SiO20 : Al (0.2%) от интенсивности фотовозбуждения образца сине-зеленым светом с длиной волны 5145 Angstrem и показано, что при интенсивности возбуждения 10 mW / cm2 время максвелловской релаксации уменьшается на (6±1) s от темнового значения (80±10) s.
  1. Petrov M.P., Stepanov S.I., Khomenko A.V. // Photorefractive crystals in coherent optical systems. Springer-Verlag, 1991. 118 p
  2. Astratov V.N., Furman A.S., Ilinski A.V. // Semiconductors and Insulators: Optica and Spectroscope Research / Yu.I. Koptev. New York, 1992. P. 271
  3. Ilinskii A.V., Velazquez-Cruz I., Prutskij T.A., Chavez F., Silva-Andrade W. // II International Workshop "Optoelectronic materials and their applications (including solar cells)". La Habana-Cuba. November 2--6th. 1998. P. 314--316
  4. Борн М., Вольф Э. // Основы оптики. М., 1973. 562 с
  5. Мирский Г.Я. // Радиоэлектронные измерения. М., 1975. 161 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.