Предложен компенсационный метод измерения параметров фоторефрактивных кристаллов, основанный на продольном электрооптическом эффекте, в котором в модифицированной ячейке Поккельса используются две кристаллические пластины вместо одной. Плоскости пластин располагаются перпендикулярно оптической оси, а большие полуоси эллипсоида, наведенного электрическим полем двулучепреломления, повернуты друг относительно друга на 90^o вокруг этой оси. Предложенным методом измерена зависимость времени максвелловской релаксации кристалла Bi₁₂SiO₂₀ : Al (0.2%) от интенсивности фотовозбуждения образца сине-зеленым светом с длиной волны 5145 Angstrem и показано, что при интенсивности возбуждения 10 mW / cm² время максвелловской релаксации уменьшается на (6±1) s от темнового значения (80±10) s.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.