Вышедшие номера
Свойства InGaAsP/InP-гетеролазеров со ступенчатым расширенным волноводом
Голикова Е.Г.1, Курешов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лившиц Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Рябоштан Ю.А.1, Слипченко С.О.1, Тарасов И.С.1, Фетисова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены InGaAsP/InP лазерные гетероструктуры со ступенчатым расширенным волноводом и двумя напряженными квантовыми ямами, излучающие на длине волны 1.55 mum. Достигнуто значение внутреннего квантового выхода etai=85%. Получена оптическая мощность 5.2 W в непрерывном режиме генерации при температуре лазерного диода 10oC. Внутренние оптические потери в данной структуре составляют 3.6 cm-1, что сравнимо с потерями в структурах с однородным расширенным волноводом.