Вышедшие номера
Управляемое выращивание квазибикристаллических структур оксида цинка
Атаев Б.М.1, Камилов И.К.1, Багамадова А.М.1, Мамедов В.В.1, Махмудов С.Ш.1, Омаев А.К.1, Шахшаев Ш.О.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: caucasus@datacom.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Сообщаются первые результаты по получению квазибикристаллических структур - межблочных границ эпитаксиальных слоев оксида цинка на сапфире в заданном направлении - для последующего формирования субмикронных устройств электроники. Показано, что использование техники буферных слоев позволяет на одной подложке (1012) a-Al2O3 получать высокоориентированные слои (1120) ZnO и (0001) ZnO с четкой границей между ними. Изучены морфология и структурные особенности этих слоев.