Электрическое переключение в структурах металл--диэлектрик--металл на основе гидратированного пентаоксида ванадия
Стефанович Г.Б.1, Пергамент А.Л.1, Казакова Е.Л.1
1Петрозаводский государственный университет
Поступила в редакцию: 14 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Исследован эффект переключения в сэндвич-структурах на основе V2O5-геля. Показано, что переключение с S-образной вольт-амперной характеристикой обусловлено переходом металл-изолятор в диоксиде ванадия. Фаза VO2 образуется в исходной пленке в процессе электроформовки. Представлены результаты зависимости параметров переключения (в частности, порогового напряжения) от температуры и давления. Показана возможность использования данных переключателей в качестве высокоэффективных микросенсоров.
- Бондаренко В., Волков В., Плешановис А. // ФТТ. 1993. Т. 35. N 12. С. 3189--3195
- Zhang J.G., Eklund P.C. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 2. P. 729--733
- Pagnia H. // Int. J. Electronics. 1992. V. 73. N 5. P. 819--825
- Walsh P.J., Hall J.E., Nicolaides R. et al. // J. Non-Crystal. Solids. 1970. V. 2. P. 107--124
- Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Чудновский Ф.А. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. N 20. С. 69--73
- Чудновский Ф.А. // ЖТФ. 1975. Т. 45. N 8. С. 1561--1583; Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 c
- Chudnovskii F.A., Kikalov D.O., Pergament A.L. et al. // Phys. Status Solidi (a). 1999. V. 172. P. 391--395
- Ufert K-D. // Phys. Status Solidi (a). 1976. V. 34. P. K83--K86
- Bowman R.M., Gregg J.M. // J. Mater. Sci. 1998. V. 9. P. 187--191
- Sensor Review. 1999. V. 19. Issue 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
