"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Простой метод контроля омических контактов для гетероструктурных полевых транзисторов
Стовповой М.А.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев
Поступила в редакцию: 15 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Предложен и экспериментально опробован метод определения положения фронта сплавления в полупроводнике, который может быть применен в технологическом процессе изготовления прибора.
  1. Lee S.J., Crowell C.R. // Solid-State Electronics. 1985. V. 28. N 7. P. 659--668
  2. Hill A.J., Ladbrooke P.H. // GEC Journal of Research. 1986. V. 4. N 1. P. 1--14
  3. Осинский В.И., Стовповой М.А. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1995. В. 29. С. 18--24

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.