Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия 
Поступила в редакцию: 6 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Приводятся результаты экспериментального исследования влияния низкочастотной накачки на выходной спектр тонкопленочной полупроводниковой структуры (ТПС) с дрейфом электронов на основе n-GaAs в 3-сm и 8-mm диапазонах. При подаче на входной элемент связи ТПС кроме слабого сигнала с частотой fs еще и мощной низкочастотной накачки с частотой fp (fp<fs) в выходном спектре ТПС появляются полосы частот, отстоящие друг от друга на частотный интервал Delta f=fs-fp, в которых прохождение СВЧ сигналов значительно улучшается. Последнее является свидетельством существования эффективной параметрической связи волн пространственного заряда, распространяющихся в дрейфовом потоке электронов, и подтверждает выводы теории.
- Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1990. Т. 33. N 10. C. 76--78
- Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38. N 10. C. 43--51
- Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Письма в ЖТФ 1996. Т. 22. В. 24. C. 75--78
- Иванченко В.А., Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. // Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1988. Ч. 2. С. 117--118
- Иванченко В.А., Михайлов А.И. // Сб. тез. докл. Всесоюз. совещ. "Электроника: преобразователи информации". Москва--Нижний Новгород, 1991. С. 12--14
- Балодис Ю.Н., Лутовинов С.И. Устройства функциональной электроники. Ч. 1. Акустоэлектронные устройства. Л.: ЛИЭС, 1988. 63 с
- Михайлов А.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 21. С. 89-95
- Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. В. 4. С. 85-90
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
