Электронная структура трехкомпонентных свинцово-силикатных стекол
Шахмин А.Л.1, Мурашов С.В.1
1РНЦ "Прикладная химия", С.-Петербург
Поступила в редакцию: 22 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Излучение электронной структуры трехкомпонентных свинцово-силикатных стекол с помощью ЕСХА позволило оценить вклад плазмонного механизма во вторичную электронную эмиссию при генерации из свинцово-силикатных стекол. Получены количественные зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии от состава исследуемых твердых тел.
- Сидорин К.К., Шахмин А.Л. // Опт. и Спект. 1992. Т. 72. В. 1. С. 160
- Шахмин А.Л., Тютиков А.М. // ФХС. 1990. Т. 16. N 6. С. 833
- Тютиков А.М., Шахмин А.Л. // ФТТ. 1992. Т. 34. B. 9. С. 2893
- Губанов В.А., Зацепин А.Ф. // ФХС. 1987. Т. 13. В. 6. С. 811--817
- Тютиков А.М., Машков В.А. // Сборник статей, посвященных 90-летию со дня рождения А.А. Лебедева. Труды ГОИ. Т. 58. В. 192. Кн. 1. 1985. С. 43--59
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук