"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур
Забудский Е.Е.1, Самохвалов М.К.1
1Ульяновский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 4 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Проведено моделирование волн яркости тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, на основании чего определена длительность светотехнических переходных процессов. Сформулирован принцип управления индикаторами, обеспечивающий максимальную яркость свечения светоизлучающих устройств.
  1. Забудский Е.Е., Самохвалов М.К. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. В. 2. С. 117--125
  2. Самохвалов М.К. // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 10. С. 139--144
  3. Allen J.W. // J. of Luminescence. 1981. V. 23. N 1--2. P. 127--139
  4. Самохвалов М.К. // Журн. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. В. 3. С. 182--185
  5. Muller G.O., Mach R. // J. of Luminescence. 1988. N 40--41. P. 92--96

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.