Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур
Забудский Е.Е.1, Самохвалов М.К.1
1Ульяновский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 4 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Проведено моделирование волн яркости тонкопленочных электролюминесцентных излучателей, на основании чего определена длительность светотехнических переходных процессов. Сформулирован принцип управления индикаторами, обеспечивающий максимальную яркость свечения светоизлучающих устройств.
- Забудский Е.Е., Самохвалов М.К. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. В. 2. С. 117--125
- Самохвалов М.К. // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 10. С. 139--144
- Allen J.W. // J. of Luminescence. 1981. V. 23. N 1--2. P. 127--139
- Самохвалов М.К. // Журн. прикл. спектроскопии. 1995. Т. 62. В. 3. С. 182--185
- Muller G.O., Mach R. // J. of Luminescence. 1988. N 40--41. P. 92--96
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
