Получены Si-Si_1-xGe_x-(Ge₂)_1-x(InP)_x структуры с промежуточным буферным слоем Si_1-xGe_x на подложках кремния. На основе морфологических исследований, растровых картин и дифракционных спектров, а также электрофизических и люминесцентных свойств гетероструктур показано, что кристаллическое совершенство указанных структур зависит от подбора условий жидкофазной эпитаксии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.