"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Выращивание кристаллически совершенных Si--Si1-xGex--(Ge2)1-x(InP)x структур из жидкой фазы
Саидов А.С.1, Кошчанов Э.А.1, Раззаков А.Ш.1, Исмаилов Ш.К.1
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Получены Si--Si1-xGex--(Ge2)1-x(InP)x структуры с промежуточным буферным слоем Si1-xGex на подложках кремния. На основе морфологических исследований, растровых картин и дифракционных спектров, а также электрофизических и люминесцентных свойств гетероструктур показано, что кристаллическое совершенство указанных структур зависит от подбора условий жидкофазной эпитаксии.
  • Саидов А.С. // ДАН УзССР. 1991. N 1. С. 17--19
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.