Антисегнето-сегнетоэлектрический переход в системе (1-x)NaNbO3-xLiNbO3
Позднякова И.В.1, Резниченко Л.А.1, Гавриляченко В.Г.1
1Ростовский государственный университет
Поступила в редакцию: 12 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Исследованы диэлектрические свойства системы (1-x)NaNbO3-xLiNbO3. Впервые определена область антисегнето-сегнетоэлектрического перехода. Обнаружено, что антисегнетоэлектрическая фаза стабильна при x=<q 0.015, а сегнетоэлектрическая - при x>=q 0.0225. В интервале концентраций 0.015<x<0.0225 находится область перехода из одной фазы в другую.
- Резниченко Л.А., Шилкина Л.А. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. Т. 39. N 5. С. 1118--1121
- Резниченко Л.А., Шилкина Л.А. // ЖТФ. 1977. Т. 47. N 2. С. 453--455
- Shilkina L.A., Pozdnyakova I.V., Reznitchenko L.A. // The Book of Abstracts of the IMFS-8. Rostov-on-Don, 1998. P. 190--191
- Kus G., Ptak W.S., Smiga W. // Ferroelectrics. 1991. V. 124. P. 249--255
- Смотраков В.Г., Тополов В.Ю., Фесенко О.Е. // ФТТ. 1997. Т. 6. С. 1084--1092
- Chen J., Feng D. // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V. 109. P. 171--183
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
