Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1999, выпуск 18 » Статья стр. 55
<<<>>>
Выращивание нитевидных и пластинчатых кристаллов A3N молекулярно-пучковой эпитаксией с участием жидкой фазы
Мамутин В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
PDF версия
Показана возможность выращивания нитевидных и пластинчатых кристаллов InN и GaN молекулярно-пучковой эпитаксией (МПЭ) и исследован механизм их роста на подложках арсенида галлия и сапфира. Проведено сравнение с теорией, доказано, что механизм роста соответствует механизму пар-жидкость-кристалл (ПЖК), и определены параметры процесса кристаллизации. Нанометровые размеры выращенных кристаллов позволяют надеяться на дальнейшее использование их и самого метода роста по ПЖК-механизму для получения МПЭ квантово-размерных объектов (квантовых точек и проволок) в перспективной системе элементов A3B5-AlGaInN.
  1. Notzel R., Temmyo J., Tamamura T. et al. // Nature. 1994. V. 369. N 56. P. 131--133
  2. Yoshizawa M., Kikuchi A., Mori M. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. N 43. P. L459--L462
  3. Yoshizawa M., Kikuchi A., Fujita N. et al. // Journ. Cryst. Growth. 1998. V. 189/190. P. 138--141
  4. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. V. 5. N 4. P. 89--90
  5. Поляков С.М., Лаверко Е.Н., Марахонов В.М. // Кристаллография. 1970. Т. 15. В. 3. С. 598--600
  6. Koguchi M., Kakibyashi H., Yazawa M. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31. N 7. P. 2061--2065
  7. Ivanov S.V., Kop'ev P.S., Ledentsov N.N. // Journ. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 151--161
  8. Чернов А.А. // Кристаллография. 1971. Т. 16. В. 4. С. 842--849
  9. Гиваргизов Е.И., Чернов А.А. // Кристаллография. 1973. Т. 18. В. 1. С. 147--153
  10. Mamutin V.V., Zmerik V.N., Vekshin V.A. et al. // Tech. Phys. Lett. 1998. V. 24. N 6. P. 467--469

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme