Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe
Украинец В.О.1, Ильчук Г.А.1, Украинец Н.А.1, Рудь Ю.В.1, Иванов-Омский В.И.1
1Государственный университет "Львовская политехника" Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 15 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Проведено измерение высоты барьера Шоттки на монокристаллах, легированных галогенами Cl, Br, J в процессе выращивания методом химических транспортных реакций, посредством предлагаемой модификации авторами F(V)-функции [2].
- Аркадьева Е.Н., Матвеев О.А., Рудь Ю.В., Рывкин С.М. // ЖТФ. 1966. Т. 36. С. 1146--1148
- Agrinskaya N.V. // Mater. Sci. Eng. B. 1993. V. 16. C. 172--175
- Ilchuk G., Ukrainets N., Datsko B., Ukrainets V. // Abstracts ICCG 12 ICVG 10. 1998. Jerusalem, Israel. P. 311
- Norde H. // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. P. 5052--5057
- Родерик Э.Х. // Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
- Панков Ж. // Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с
- Паничевская В.И., Стриха В.И. // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20. С. 1559--1560
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук