"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние сапфировой подложки на спектры излучения светодиодов из нитрида галлия
Кудряшов В.Е.1, Мамакин С.С.1, Юнович А.Э.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

В спектрах излучения зеленых светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN обнаружена слабая тонкая дублетная линия на длинноволновом спаде спектров. Эта линия объясняется люминесценцией остаточных примесных ионов Cr3+ в подложке из сапфира (аналогично рубину, Al2O3:Cr, длины волн дублета 692.9 и 694.3 nm). Ионы возбуждаются излучением светодиодов в видимой области, которая близка к полосам поглощения ионов Cr3+. Показана возможность возбуждения люминесценции рубина излучением голубых и зеленых СД на основе GaN.
  1. Ponce F., Bour De // Nature. March 1997. V. 386. P. 351--359
  2. Nakamura S., Fasol G. The blue Laser Diode; GaN based Light Emitters and Lasers. Springer. 1997. 256 S
  3. Yunovich A.E., Kudryashov V., Turkin A., Zolina K., Kovalev A., Manyakhin F. // Proc. of the 2nd Symp. on III--V Nitride Materials and Processes. V. 97--34 of Electrochem. Soc. Pennington. NY, 1998. P. 83--102
  4. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. ФТП. 1999. Т. 33 (2). С. 224
  5. Зверев Г.М., Голяев Ю.Д. Лазеры на кристаллах и их применение. М.: Радио и связь, 1994. 312 с
  6. MRS Internet Journal Nitride Semiconductors Research "Nichia announces laser commercialization". http: // nsr. mij. mrs. org/news/lasers4sale.html
  7. Nakamura S. // MRS Symp. Proc. 1997. V. 449. P. 135--141

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.