Вышедшие номера
Магнитосопротивление наномостиков из лантан-стронциевого манганита
Березин В.А.1, Николайчик В.И.1, Волков В.Т.1, Горбатов Ю.Б.1, Левашов В.И.1, Клименко Г.Л.1, Тулин В.А.1, Матвеев В.Н.1, Ходос И.И.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Изготовлены наномостики из лантан-стронциевого манганита, осажденного на мембраны Si3N4 со сквозными отверстиями, сформированными сфокусированным ионным пучком. Величина магнитосопротивления составляет ~ 9% в полях ~ 1 kOe. Обнаружена нелинейность вольт-амперной характеристики мостиков и сдвиг максимума сопротивления в сторону более низких температур относительно максимума сопротивления контрольного пленочного образца состава La0.8Sr0.2MnO3.